DEPOSITION PRODUKTE

Wir schaffen perfekte Dünnschichten

Lam Research metal films – copper electrochemical deposition (ECD)

SABRE® PRODUKTFAMILIE

Technologie: Elektrochemische Abscheidung (ECD)
Lösungen: Leiterbahnen, hochentwickelte Speicher

Bei den meisten hoch entwickelten Halbleiterelementen werden die elektrischen Verbindungen durch Kupferabscheidung hergestellt. Selbst kleinste Defekte in diesen Leitungsstrukturen – wie mikroskopisch kleine Löcher oder Staubpartikel – können die Leistung der Funktionselemente beeinträchtigen, von Geschwindigkeitseinbußen bis zum Totalausfall.

Die SABRE ECD-Produktfamilie von Lam, die wesentlich zur Durchsetzung neuer Verfahren bei Kupferleiterbahnen beigetragen hat, erreicht die Präzision, die für Damascene-Verfahren mit Kupfer auf der branchenweit produktivsten Plattform benötigt wird.

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Lam Research metal films for packaging – electroplating

SABRE® 3D

Technologie: Elektrochemische Abscheidung (ECD)
Lösungen: Packaging

Bei hochentwickeltem Wafer-Level Packaging (WLP) und bei Through-Silicon Via-Strukturen (TSVs) werden die elektrischen Verbindungen durch Abscheidung von Kupfer oder anderen Metallen hergestellt. Diese filigranen Leiterbahnen tragen zur Reduzierung der Gesamtgröße von Funktionselementen bei, so dass sich kleinere, schnellere und leistungsstärkere elektronische Mobilgeräte herstellen lassen..

Beim SABRE 3D-System wird die bewährte Lam SABRE Electrofill®-Technologie mit zusätzlichen innovativen Merkmalen ergänzt, die die Herstellung der qualitativ hochwertigen Schichten ermöglichen, die für WLP- und TSV-Anwendungen bei hoher Produktivität benötigt werden.

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Lam Research metal films – tungsten chemical vapor deposition (CVD)

ALTUS® PRODUKTFAMILIE

Technologie: Chemische Gasphasenabscheidung (CVD), Atomlagenabscheidung (ALD)
Lösungen: Transistoren, Leiterbahnen, hochentwickelte Speicher, Packaging

Für die Ausbildung von Leiterverbindungen auf Chips wie Kontakten, Durchkontaktierungen und Steckern wird Wolframabscheidung eingesetzt. Diese Struktureinheiten sind klein, oft schmal, und aufgrund der geringen Metallmenge können die Minimierung des Widerstands und eine vollständige Befüllung schwierig sein. Im hier relevanten Nanometerbereich können bereits minimale Störstellen die Leistung von Funktionselementen beeinträchtigen oder zum Ausfall eines Chips führen.

Die marktführenden ALTUS-Systeme von Lam kombinieren CVD- und ALD-Techniken, um die eng anliegenden Schichten zu erzeugen, die für hochentwickelte Wolfram-Metallisierungsanwendungen benötigt werden..

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Roll-over caption: Lam Research dielectric films – plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

VECTOR® PRODUKTFAMILIE

Technologie: Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD)
Lösungen: Transistoren, Leiterbahnen, Strukturierunghochentwickelte Speicher

Mit Verfahren zur Abscheidung dielektrischer Schichten werden einige der aufwändigsten Isolationsstrukturen in Halbleiter-Funktionselementen ausgebildet, unter anderem bei den modernsten Transistoren und 3D-Strukturen. Für einige Anwendungen müssen sich diese Schichten eng um filigrane Strukturen legen. Andere Anwendungen erfordern außergewöhnlich glatte und fehlerfreie Schichten, da minimale Störstellen bei den nachfolgenden Schichten verstärkt werden.

Die VECTOR PECVD-Produkte von Lam bieten die Leistung und Flexibilität für die Ausbildung dieser Aktivierungsstrukturen und erfüllen die Anforderungen dieser anspruchsvollen Anwendungen

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Striker® Produktfamilie

Technologie: Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD)
Lösungen: Transistoren, Strukturierunghochentwickelte SpeicherPackaging

Die neuesten Speicher-, Logik- und Bildgebungsbausteine erfordern extrem dünne, hochkonforme dielektrische Schichten für eine fortlaufende Verbesserung der Leistung und Skalierung. Beispielsweise sind solche Schichten für Spacer-basierte Mehrfachstrukturierungverfahren wichtig, bei denen die Spacer dazu beitragen, kritische Maße (CDs) zu definieren, sowie für dielektrische Liner, die nur eine sehr geringe Toleranz für auch nur die kleinsten Fehler haben.

Die Striker Single-Wafer-ALD-Produkte von Lam bieten für diese anspruchsvollen Anforderungen wegweisende Lösungen durch anwendungsspezifische Prozess- und Hardwareoptionen, die beste Dünnschichttechnologie und Fehlerminimierung zu den niedrigsten Betriebskosten liefern.

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Lam Research dielectric films – gapfill high-density plasma chemical vapor deposition (HDP-CVD)

SPEED® PRODUKTFAMILIE

Technologie: Chemische Gasphasenabscheidung im hochdichten Plasma (HDP-CVD)
Lösungen: Transistoren, Leiterbahnen, hochentwickelte Speicher

Bei dielektrischen „Spaltfüllprozessen“ werden kritische Isolationsschichten zwischen leitfähigen beziehungsweise aktiven Bereichen abgeschieden. Dazu werden Öffnungen mit unterschiedlichen Tiefen/Breiten-Verhältnissen zwischen Leiterbahnen und zwischen Funktionselementen befüllt. Bei hochentwickelten Funktionselementen können die zu befüllenden Strukturen sehr hoch und schmal sein. Der Qualität der dielektrischen Schichten kommt in diesem Kontext eine besondere Bedeutung zu, weil die Wahrscheinlichkeit von Übersprecheffekten und Ausfällen von Funktionselementen immer weiter steigt.

Die SPEED HDP-CVD-Produkte von Lam sind eine Lösung für mehrere dielektrische Schichten, die Spaltfüllung mit hoher Qualität bei hervorragendem Durchsatz und höchster Zuverlässigkeit ermöglichen.

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Lam Research hardmask films – plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

VECTOR® PRODUKTFAMILIE

Technologie: Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD), Atomlagenabscheidung (ALD)
Lösungen: Transistoren, Leiterbahnen, Strukturierung

Hartmasken sind Opferschichten, die Präzision bei der Strukturierung ermöglichen, wenn sich dies nicht mit herkömmlichen Masken realisieren lässt. Im Zuge der weiteren Schrumpfung der Funktionselemente und der Zunahme der Packungsdichten setzen Chiphersteller auf doppelte und vierfache Strukturierung, um die Grenzen lithografischer Verfahren auszudehnen. Hartmaskenabscheidung spielt bei diesen Ansätzen eine Schlüsselrolle.

Die VECTOR PECVD- und ALD-Produkte von Lam unterstützen viele verschiedene Hartmaskenschichten mit hoher Qualität, die sich für die spezifischen Anforderungen hochentwickelter Strukturierungsanwendungen eignen.

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Lam Research thin film treatment – ultraviolet thermal processing (UVTP)

SOLA®PRODUKTFAMILIE

Technologie: Thermische UV-Licht-Behandlung (UVTP)
Lösungen: Transistoren, Leiterbahnen

Neuere dielektrische Materialien, die auf die Isolierungsanforderungen der neuesten Chips abgestimmt sind, haben häufig Eigenschaften, die ihre Verwendung ungewöhnlich schwierig machen. Die ausgebildeten Schichten sind sehr empfindlich und verlieren leicht einen Teil ihrer dielektrischen Festigkeit, was zu Leistungseinbußen bei den Funktionselementen führt.

Damit diese Anwendungen hochentwickelter Schichten dennoch funktionieren, können einige Schichten stabilisiert beziehungsweise zur Steigerung der Leistung der Funktionselemente optimiert werden. Die dazu erforderlichen speziellen Oberflächenbehandlungen nach der Abscheidung können mit der SOLA UVTP-Produktfamilie von Lam erfolgen.

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